基於碳化矽(SiC)的功率半导体具有高效率、高功率密度、高耐压和高可靠性等诸多优势，为实现新应用和推进充电站技术创新创造了机会。近日，英飞凌(Infineon)宣布与英飞源(INFY)达成合作，英飞凌将为英飞源提供1,200V CoolSiC MOSFET功率半导体元件，用於提升电动车充电站的效率。

英飞凌零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer博士表示，英飞凌与英飞源在电动车充电解决方案领域的合作，将为当地电动车充电行业提供出色的系统级技术解决方案。它将大幅提高充电效率，加快充电速度，并为电动车车主创造更好的用户体验。

由於拥有高功率密度，SiC适用於开发高性能、轻量且紧凑的充电解决方案，这对超级充电站及超紧凑壁挂式直流充电桩尤为有益。SiC技术相比传统的矽技术可将电动车充电站的效率提高1%，降低能耗和营运成本。以一座100kW的充电站为例，这意味着节省1kWh电能，每年节省270欧元成本，并减少3.5吨碳排放。这将大幅推动SiC功率元件在电动车充电模组中的应用。

作为最早将沟槽闸技术用於电晶体的SiC功率半导体制造商之一，英飞凌推出了帮助提高充电解决方案可靠性的先进设计。这些元件具有高阈值电压，并简化了闸极驱动。CoolSiC MOSFET技术在上市前已通过马拉松应力试验及闸极电压跳变应力试验，并在上市後定期进行监控，以确保拥有最高闸极可靠性。

采用英飞凌1,200V CoolSiC MOSFET，使得英飞源的30kW直流充电模组能够实现宽恒功率范围，高功率密度，最小电磁辐射和干扰，高保护性能，以及高可靠性。这使其不仅能够满足大多数电动车的快速充电需求，还能实现比市场上的其他解决方案高出1%的效率。